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| 晶體結(jié)構(gòu) | 立方晶系 | 六方晶系 | 
| 晶相 | β相 | α相 | 
| 熔點(diǎn) | 2700° | 2400° | 
| 分解溫度 | 2830°±40° | 2600°游離 | 
| 熱膨脹系數(shù) | 2.5-7 x10-6 /°C | 7-9 x10-6 /°C | 
| 熱導(dǎo)率 | 0.255 W/cm K | 0.410 W/cm K | 
| 莫氏硬度 | 9.5-9.75 | 9.4-9.5 | 
| 維氏硬度(顯微硬度) | 3300-3500kg/mm2 | 3200-3400 kg/mm2 | 
| 禁帶寬度 | 2.2 eV | 2.86 eV | 
| 相對(duì)介電常數(shù) | 9.72 ε | 9.66-10.03 ε | 
| 電子遷移率 | >1000 | 460 | 
| 型號(hào) | 平均粒徑 | 純度(%) | 晶型 | 顏色 | 
| β-SiC50nm | 50nm | 99% / 99.9% /99.99% | β相立方晶型 | 灰綠色 | 
| β-SiC80nm | 80nm | 99% / 99.9% /99.99% | β相立方晶型 | 灰綠色 | 
| β-SiC150nm | 150nm | 99% / 99.9% /99.99% | β相立方晶型 | 灰綠色 | 
| β-SiC500nm | 500nm | 99% / 99.9% /99.99% | β相立方晶型 | 灰綠色 | 
| β-SiC700nm | 700nm | 99% / 99.9% /99.99% | β相立方晶型 | 灰色 | 
| β-SiC800nm | 800nm | 99% / 99.9% /99.99% | β相立方晶型 | 灰色 | 
| β-SiC1um | 1um | 99% / 99.9% /99.99% | β相立方晶型 | 綠色 | 
| β-SiC3um | 3um | 99% / 99.9% /99.99% | β相立方晶型 | 綠色 | 
| β-SiC5um | 5um | 99% / 99.9% /99.99% | β相立方晶型 | 綠色 | 
| β-SiC8um | 8um | 99% / 99.9% /99.99% | β相立方晶型 | 綠色 | 
| β-SiC10um | 10um | 99% / 99.9% /99.99% | β相立方晶型 | 綠色 | 
| α-SiC500nm | 500nm | 99% / 99.9% | α相六方晶型 | 灰綠色 | 
| α-SiC700nm | 700nm | 99% / 99.9% | α相六方晶型 | 灰色 | 
| α-SiC800nm | 800nm | 99% / 99.9% | α相六方晶型 | 灰色 | 
| α-SiC1um | 1um | 99% / 99.9% | α相六方晶型 | 綠色 | 
| α-SiC3um | 3um | 99% / 99.9% | α相六方晶型 | 綠色 | 
| α-SiC5um | 5um | 99% / 99.9% | α相六方晶型 | 綠色 | 
| α-SiC8um | 8um | 99% / 99.9% | α相六方晶型 | 綠色 | 
| α-SiC10um | 10um | 99% / 99.9% | α相六方晶型 | 綠色 | 
 
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